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J-GLOBAL ID：200903064946684566
2層選択成長法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
磯野 道造
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997132051
Publication number (International publication number)：1998321529
Application date： May. 22, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：
【要約】【課題】 III 族-N系化合物半導体膜と基板との界面からIII 族-N系化合物半導体膜の表面まで伝搬した転位が存在しないIII 族-N系化合物半導体膜を作製することができる2層選択成長法を提供することを課題とする。【解決手段】 基板1上のGaN層2の表面の一部分に、SiO2 膜3a,3b,3c,3dを形成した後に、SiO2 膜3a,3b,3c,3dの表面全体を覆うようにGaN層2を成長させてGaN層4を形成し、このGaN層4の表面に、SiO2 膜3a,3b,3c,3dの基板1に平行な投影面において、少なくともSiO2 膜3a,3b,3c,3dで覆われない領域を含むように、GaNが成長しない材料から成るSiO2 膜5a,5b,5c,5d,5eを形成した後に、GaN層4を成長させてGaN層6を形成する。
Claim (excerpt)：
基板上にIII 族窒化物半導体の層を成長させる第1の工程と、前記III 族窒化物半導体の層の表面の一部分に、前記III 族窒化物半導体が成長しない材料から成る第1の膜を形成する第2の工程と、前記III 族窒化物半導体を、前記第1の工程で成長させたIII 族窒化物半導体の層の表面のうちの前記第1の膜が形成されない部分に成長させた後、前記第1の膜の表面が覆われるように成長させる第3の工程と、少なくとも前記第1の膜の前記基板に平行な投影面における前記第1の膜で覆われない領域を含むように、前記第3の工程で成長させたIII 族窒化物半導体の層の表面の一部分に、前記III 族窒化物半導体が成長しない材料から成る第2の膜を形成する第4の工程と、前記III 族窒化物半導体を、前記第3の工程で成長させたIII 族窒化物半導体の層の表面のうちの前記第2の膜が形成されない部分に成長させた後、前記第2の膜の表面が覆われるように成長させる第5の工程と、を含むことを特徴とする2層選択成長法。
IPC (3)：
H01L 21/205
, H01L 21/20
, H01L 33/00
H01L 21/205
, H01L 21/20
, H01L 33/00 C
