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J-GLOBAL ID：200903064961429912

半導体装置

Inventor：
大 場 竜 二

About 大 場 竜 二


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998181122
Publication number (International publication number)：2000022005
Application date： Jun. 26, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：
【要約】【課題】 ナノクリスタル浮遊ゲートからチャネルへのリーク電流を抑制し、書込み電圧の調節を可能とする。【解決手段】 半導体基板と、ゲート電極と、前記半導体基板と浮遊ゲート電極との間に設けられ電荷を蓄積できる半導体微粒子が含まれるゲート絶縁膜とを備える半導体装置において、浮遊ゲート電極として機能する前記ゲート絶縁膜に含まれる前記半導体微粒子がn型またはp型の不純物を含む半導体微粒子であると共にその粒径を5ないし10ナノメータのスケールとした。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、ゲート電極と、前記半導体基板と浮遊ゲート電極との間に設けられ電荷を蓄積できる半導体微粒子が含まれるゲート絶縁膜とを備える半導体装置において、浮遊ゲート電極として機能する前記ゲート絶縁膜に含まれる前記半導体微粒子がn型またはp型の半導体微粒子であると共にその粒径がナノメータ単位のものであることを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115
FI (2)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434
F-Term (31)：
5F001AA10 ,  5F001AA19 ,  5F001AA34 ,  5F001AB08 ,  5F001AC02 ,  5F001AC06 ,  5F001AD12 ,  5F001AE02 ,  5F001AE03 ,  5F001AE08 ,  5F001AF06 ,  5F001AF20 ,  5F001AG02 ,  5F001AG12 ,  5F001AG21 ,  5F001AG24 ,  5F001AG30 ,  5F083EP09 ,  5F083EP23 ,  5F083EP42 ,  5F083ER03 ,  5F083ER09 ,  5F083ER14 ,  5F083ER19 ,  5F083ER22 ,  5F083GA21 ,  5F083JA02 ,  5F083JA32 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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