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J-GLOBAL ID：200903065016309214

MOSトランジスタの製造方法

Inventor： 大野 晃計 ,  泉 勝俊
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991278913
Publication number (International publication number)：1993095115
Application date： Oct. 01, 1991
Publication date： Apr. 16, 1993
Summary：

【要約】【目的】 汎用のイオン注入装置を用いて電気的特性に優れた微細化MOSトランジスタを製造する。【構成】 ドレイン領域とチャネル領域との間に段状の不純物濃度勾配を持つMOSトランジスタを製造する際、ゲート電極としての第1の多結晶シリコン電極6を形成した後、これをマスクとして低注入量で不純物をイオン注入する。そして第1の多結晶シリコン電極6の側面を露出させた状態で多結晶シリコン膜10を堆積し、次いでこの多結晶シリコン膜10の異方性エッチングにより、第1の多結晶シリコン電極6の側面で直接連接させた第2の多結晶シリコン電極11を残存的に形成する。その後、第1と第2の多結晶シリコン電極6,11をマスクとして高注入量で不純物を再びイオン注入する。これら2回のイオン注入によって、第2の多結晶シリコン電極11の直下に低不純物濃度のソース及びドレイン領域7,8を形成する

Claim (excerpt)：

少なくともドレインの領域とチャネル領域との間に段状の不純物濃度勾配を持たせた構造のMOSトランジスタを製造する工程において、ゲート電極としての第1の多結晶シリコン電極を形成した後、これをマスクとして比較的低注入量で不純物をイオン注入し、その後、該第1の多結晶シリコン電極の側面を露出させた状態で多結晶シリコン膜を堆積し、その後、該多結晶シリコン膜の異方性エッチングにより、第1の多結晶シリコン電極の側面で直接連接された第2の多結晶シリコン電極を残存的に形成し、しかる後、第1と第2の多結晶シリコン電極をマスクとして比較的高注入量で不純物を再びイオン注入し、これら2回のイオン注入によって、第2の多結晶シリコン電極の直下に低不純物濃度のドレイン領域を形成することを特徴とするMOSトランジスタの製造方法。