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J-GLOBAL ID：200903065021377104

液処理装置

Inventor：
谷山 博己

About 谷山 博己

, 
西 寛信

About 西 寛信


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 木村 満 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000135224
Publication number (International publication number)：2001319910
Application date： May. 08, 2000
Publication date： Nov. 16, 2001
Summary：
【要約】【課題】 基板の周縁を、デバイス作成領域に悪影響を及ぼすことなく処理し、かつ、処理する周縁の幅を微細に制御できる液処理装置を提供する。【解決手段】 基板の一方の面側から基板周縁に薬液を噴射し、他方の面側の周縁に薬液を回り込ませる。回り込ませた薬液により、基板周縁を処理するとともに、該基板の他方の面側に備えられた回り込み制御部材により、基板の処理幅を制御する。
Claim (excerpt)：
被処理体を保持し、かつ、該被処理体を該被処理体の平面上で回転可能な被処理体保持手段と、前記被処理体の一方の面側に配置され、前記被処理体保持手段が前記被処理体を保持し、かつ、回転させている状態で、該被処理体の他方の面に、該被処理体の他方の面の周縁部に所定の処理を施すための処理液を供給する処理液供給手段と、前記被処理体の他方の面側に配置され、前記処理液供給手段により供給された処理液の、前記被処理体の他方の面中心部への回り込みを抑制する、回り込み抑制手段とを備えることを特徴とする液処理装置。
IPC (3)：
H01L 21/304 643 ,  B08B 3/02 ,  H01L 21/027
FI (3)：
H01L 21/304 643 A ,  B08B 3/02 C ,  H01L 21/30 577
F-Term (14)：
3B201AA03 ,  3B201AB23 ,  3B201AB34 ,  3B201AB42 ,  3B201BB23 ,  3B201BB33 ,  3B201BB93 ,  3B201BB96 ,  3B201CB11 ,  3B201CC12 ,  3B201CC13 ,  3B201CD11 ,  5F046JA15 ,  5F046JA22
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 処理方法及び処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-233456   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
  • 特開平3-034207
  • 半導体基板の表面処理方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-214422   Applicant：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
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