微細造形方法及び装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：工業技術院機械技術研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997027162
Publication number (International publication number)：1998202171
Application date： Jan. 27, 1997
Publication date： Aug. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】超微粒子の噴射による造形物の微細、高精度な形成が可能な超微粒子堆積技術を得ること【解決手段】超微粒子材料をノズル6を通して基板4上に噴射し堆積させて微細形状の造形物を形成する場合に、ノズル6と基板4との間に所定の開口パターンを構成する開口を有するマスク5を配置し、マスク5と基板4上の造形物の成長表面または基板の表面との距離を一定に保った状態でノズル6をマスク5に対して相対変位させつつ超微粒子材料をマスク5の開口を通して基板4に噴射させる

Claim (excerpt)：

超微粒子材料をノズルを通して基板上に噴射し堆積させて微細形状の造形物を形成する場合に、前記ノズルと基板との間に所定の開口パターンを構成する開口を有するマスクを配置し、前記マスクと前記基板上の造形物の成長表面または前記基板の表面との距離を一定に保った状態で前記ノズルを前記マスクに対して相対変位させつつ前記超微粒子材料を前記マスクの開口を通して前記基板に噴射させることを特徴とする微細造形方法。

IPC (5)：

B05D 1/32 , B05D 1/12 , B22F 3/02 , H01L 21/3205 , H05K 3/14

FI (5)：

B05D 1/32 Z , B05D 1/12 , H05K 3/14 Z , B22F 3/02 Z , H01L 21/88 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ファクシミリ通信制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-320817 Applicant：株式会社ピーエフユー
発光Si超微粒子パターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-308448 Applicant：株式会社日立製作所
特公平3-014512

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