アクティブマトリクス基板

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998315754
Publication number (International publication number)：2000147550
Application date： Nov. 06, 1998
Publication date： May. 26, 2000
Summary：

【要約】【課題】表示品位に優れ、信頼性が高く、製造が容易であるアクティブマトリクス基板を提供する。【解決手段】ソース電極及びドレイン電極の少なくともどちらが一方が、アルミニウム系金属層と、該アルミニウム系金属層の下部に形成される窒化モリブデンからなるバリアメタル層と、前記アルミニウム系金属層の上部に形成されるモリブデン又は窒化モリブデンからなるキャップメタル層との積層構造とするとで、同一エッチャントで同時にテーパエッチングすることができ、窒素流量によっては電極の断面形状を順テーパ状とすることにより、表示品位が優れ、信頼性が高く、製造が容易なアクティブマトリクス基板を提供する。

Claim (excerpt)：

絶縁性領域と、該絶縁性領域上に形成されたソース電極及びドレイン電極とを備え、該ソース電極及びドレイン電極の少なくともどちらか一方が、アルミニウム系金属層と、該アルミニウム系金属層の下部に形成される窒化モリブデンからなるバリアメタル層と、前記アルミニウム系金属層の上部に形成されるモリブデンからなるキャップメタル層との積層構造であることを特徴とするアクティブマトリクス基板。

IPC (2)：

G02F 1/136 500 , G09F 9/30 338

FI (2)：

G02F 1/136 500 , G09F 9/30 338

F-Term (32)：

2H092GA17 , 2H092GA34 , 2H092HA06 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092KA05 , 2H092KB25 , 2H092MA05 , 2H092MA18 , 2H092NA18 , 2H092NA22 , 2H092NA27 , 2H092NA28 , 2H092PA01 , 5C094AA04 , 5C094AA13 , 5C094AA42 , 5C094AA43 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094DB04 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5C094FA01 , 5C094FA02 , 5C094FA03 , 5C094FB02 , 5C094FB03 , 5C094FB12 , 5C094GB10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-309614 Applicant：シャープ株式会社
特開平4-253342
薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-286592 Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (3)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-309614 Applicant：シャープ株式会社
特開平4-253342
薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-286592 Applicant：松下電器産業株式会社

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