薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995309614
Publication number (International publication number)：1997148586
Application date： Nov. 28, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】ソース,ドレイン電極配線として用いられるMo膜とAl膜との2層構造の導体層を、Al膜に対するMo膜のシフトを抑えつつ、エッチング可能とし、これにより安定した特性を有する高性能薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】ソース,ドレイン電極配線10を、Al系金属膜8とMo膜9との2層構造とするとともに、該Mo膜9を窒素を含むものとして、Mo膜9のエッチレートをAl系金属膜8のエッチレートに近いものとした。

Claim (excerpt)：

絶縁性下地領域上に形成されたソース,ドレイン領域と、該ソース,ドレイン領域につながる導体層とを備え、該導体層を、Al系金属膜と、窒素を含有するMo膜とからなる積層構造とした薄膜トランジスタ。

IPC (5)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 21/3205

FI (7)：

H01L 29/78 612 C , G02F 1/136 500 , H01L 21/28 301 L , H01L 21/28 301 R , H01L 21/88 R , H01L 21/88 N , H01L 21/88 M

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体装置,半導体装置の製造方法,表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-235521 Applicant：三洋電機株式会社
液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-035236 Applicant：セイコーエプソン株式会社
薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-169643 Applicant：セイコーエプソン株式会社

Cited by examiner (1)

半導体装置,半導体装置の製造方法,表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-235521 Applicant：三洋電機株式会社

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