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J-GLOBAL ID:200903065081931461

微細構造体の形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993000106
Publication number (International publication number):1994202341
Application date: Jan. 04, 1993
Publication date: Jul. 22, 1994
Summary:
【要約】【目的】 V溝等の傾斜した側面を有する溝を含む微細構造体の形成方法を提供する。【構成】 レジスト層2が形成された基板1を、ある方向にある角度傾斜させて、マスク4を用いて、レジスト層2について、シンクロトロン放射光を用いて選択的に第1の露光をする。次に、第1の露光をしたレジスト層2を有する基板1を、ある方向とは逆方向の他の方向にある角度傾斜させて、マスク4を用いて、シンクロトロン放射光を用いて選択的に第2の露光をする。次に、レジスト層2を現像し、V溝を有するレジストパターンを形成し、レジストパターンを用いて、金属鋳型を形成し、この金属鋳型を用いて、V溝を有する微細構造体を形成する。
Claim (excerpt):
V溝を有する微細構造体の形成方法であって、基板上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層が形成された基板を、入射光に垂直な面に対して、ある方向にある角度傾斜させて、前記レジスト層にV溝の一方側面に相当する部分を選択的に露光する第1の露光工程と、前記第1の露光工程により露光したレジスト層を有する基板を、入射光に垂直な面に対して、前記ある方向とは逆方向の他の方向にある角度傾斜させて、前記第1の露光工程により露光したレジスト層についてV溝の他方側面に相当する部分を選択的に露光する第2の露光工程と、前記第1および第2の露光工程により露光した前記レジスト層を現像してV溝を有するレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを用いて、反転された形状のパターンを有する金属鋳型を形成する工程と、前記金属鋳型を用いてV溝を有する微細構造体を形成する、微細構造体の形成方法。
IPC (3):
G03F 7/20 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/027
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
  • 特開平2-230251
  • 特開昭56-057039
Cited by examiner (2)
  • 特開平2-230251
  • 特開平2-230251

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