半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：福森久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000278617
Publication number (International publication number)：2001313335
Application date： Sep. 13, 2000
Publication date： Nov. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】本発明は、ホウ素、炭素、窒素を含有する材料を配線の層間絶縁膜に用いて、高性能半導体装置を提供する。【解決手段】半導体素子(ゲート2およびコンタクト3からなるMOSFET)の存在するシリコン基板1上で配線金属(金属6A〜6F)が、ホウ素、炭素、窒素の少なくとも1元素を主要元素とする絶縁層(層間絶縁膜5A〜5C)を介して形成され、前記絶縁層内で原子の結合構造が異なる領域を2種以上含んでいる。

Claim (excerpt)：

半導体素子の存在する基板上で、ホウ素、炭素、窒素の少なくとも1元素を主要元素とする絶縁層を介して配線金属が形成され、前記絶縁層内で原子の結合構造が異なる領域を2種以上含んでいることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/768 , H01L 21/318

FI (2)：

H01L 21/318 B , H01L 21/90 K

F-Term (33)：

5F033GG02 , 5F033HH11 , 5F033JJ11 , 5F033JJ33 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP19 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR11 , 5F033RR12 , 5F033SS01 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033XX12 , 5F033XX17 , 5F033XX24 , 5F033XX27 , 5F058BA04 , 5F058BB02 , 5F058BD02 , 5F058BD09 , 5F058BD13 , 5F058BD18 , 5F058BF07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-182975 Applicant：三菱電機株式会社
特開平4-099049
特開昭63-037637

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

“Field emission characteristics of boron carbon nitride films synthesized by plasma-assisted chemic

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