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J-GLOBAL ID：200903065165591704

薄膜フォトトランジスタ

Inventor： 荒井 三千男 ,  杉浦 和司 ,  小玉 光文 ,  山内 幸夫 ,  高山 一郎 ,  坂本 直哉
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社 ,  株式会社半導体エネルギー研究所
Agent (1)： 山谷 晧榮 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994048693
Publication number (International publication number)：1995263741
Application date： Mar. 18, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】 TFTフォトトランジスタに係り、特にダブルゲートのポリシリコン型の構成にすることにより高感度のTFTフォトトランジスタを提供すること。【構成】 薄膜トランジスタのソース領域7とドレイン領域8の間に光照射される活性層を設けた薄膜フォトトランジスタにおいて、その活性層4をポリシリコン型で構成し、またこのポリシリコン型の活性層4を2つのゲート電極2、6の間に配置する。

Claim (excerpt)：

薄膜トランジスタのソース領域とドレイン領域の間に光照射される活性層を設けた薄膜フォトトランジスタにおいて、その活性層をポリシリコン型で構成し、またこのポリシリコン型の活性層を2つのゲート電極の間に配置したことを特徴とする薄膜フォトトランジスタ。

IPC (2)：

H01L 31/10 ,  H01L 29/786

FI (4)：

H01L 31/10 E ,  H01L 29/78 311 G ,  H01L 29/78 311 J ,  H01L 31/10 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-082171
  
• 特開昭58-097877
  
• フォトセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-107711   Applicant：カシオ計算機株式会社