半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：秋田収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996349413
Publication number (International publication number)：1998189959
Application date： Dec. 27, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】絶縁膜上の単結晶半導体層に構成されたp型MISFETにおいては、基板浮遊効果の解消を行うことができない。【解決手段】絶縁膜上の単結晶半導体装置に構成されたMISFETを有する半導体装置において、MISFETのソース/ドレイン拡散層底部に接して再結合中心として作用する結晶欠陥領域を形成する。【効果】 p型MISFET及びn型MISFETの何れに対しても基板浮遊効果の解消を行うことができる。

Claim (excerpt)：

絶縁膜上の単結晶半導体層に構成されたMISFETを有する半導体装置において、ソース、ドレイン拡散層底部と少なくとも一部領域を共有するごとく再結合中心機構を有する領域が構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (10)：

H01L 29/78 , G11C 11/401 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/8244 , H01L 27/11 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H03K 19/0944 , H03K 19/20

FI (7)：

H01L 29/78 301 X , H03K 19/20 , G11C 11/34 352 Z , H01L 27/08 321 D , H01L 27/10 381 , H01L 27/10 671 C , H03K 19/094 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平2-159767
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-191654 Applicant：株式会社日立製作所
特開平2-159767

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