半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997333990
Publication number (International publication number)：1999168099
Application date： Dec. 04, 1997
Publication date： Jun. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】高周波で用いられるFET、HBTに関し、ゲート・ドレイン間容量Cgdを十分に低減してFETの利得の増大を図る。【解決手段】出力信号として電流が出入する第1の電極103及び第2の電極105と、第1の電極103及び第2の電極105の中間位置にあって入力信号により電流を制御する第3の電極104とが一つの又はそれぞれ異なる半導体層102上に形成された半導体装置において、第2の電極105の上部に、接地電位に接続される第1の電極105と繋がるシールド電極107が形成されていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

出力信号として電流が出入する第1の電極及び第2の電極と、前記第1の電極及び前記第2の電極の中間位置にあって入力信号により前記電流を制御する第3の電極とが一つの又はそれぞれ異なる半導体層上に形成された半導体装置において、前記第2の電極の上部に、接地電位に接続される前記第1の電極と繋がるシールド電極が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/3205 , H01L 29/205 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (4)：

H01L 21/88 S , H01L 29/205 , H01L 29/72 , H01L 29/80 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置及び送受信切り替え型アンテナスイッチ回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-033221 Applicant：沖電気工業株式会社
特開平2-134861
電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-139656 Applicant：ローム株式会社

Show all

Return to Previous Page