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J-GLOBAL ID：200903065241680940

ウエハの洗浄方法

Inventor：
青木 秀充

About 青木 秀充

, 
山崎 進也

About 山崎 進也


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998138365
Publication number (International publication number)：1999330023
Application date： May. 20, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：
【要約】【課題】 ウエハ上に形成される、ULSIにおける高速ロジックのためのCu配線やWプラグの形成に必要なCMP処理の後、配線やプラグを傷めることなくCu膜残りをはじめとする金属汚染を効果的に除去、防止する方法を提供する。【解決手段】 CMP処理の後、表面に水を保った状態で、あまり時間をおくことなくアンモニア水、電解カソード水または溶存水素水でブラシによる洗浄を行なう1段目アルカリ雰囲気洗浄を行なった後、シュウ酸に代表されるキレート形成性ポリカルボン酸、それらのアンモニウム塩、ポリアミノカルボン酸の少なくとも1つを含む洗浄液でスピン洗浄もしくはブラシによる洗浄を行なう2段目酸雰囲気洗浄を行ない、必要に応じ2段目処理の際に裏面をフッ酸と過酸化水素とを含む洗浄液で処理することでCu膜や金属汚染を除去することによって達成される。
Claim (excerpt)：
層間絶縁膜を含んだウエハの表面に銅を成膜した後、酸化剤を含む研磨剤を用いて化学的機械的研磨処理を加えたものに対し洗浄する工程において、濃度が0.0001〜0.5重量%のアンモニア水、純水もしくはアンモニア濃度0.5重量%以下の水溶液を電解しカソード電極側に得られた電解液、および純水もしくはアンモニア濃度0.5重量%以下の水溶液に水素を溶存させた液のいずれか1つの洗浄液を用いて洗浄を行なう、アルカリもしくは水素還元雰囲気の1段目粒子除去処理と、銅とキレート形成能力を有するポリカルボン酸、それらのアンモニウム塩およびポリアミノカルボン酸の少なくとも1つを含む濃度0.01〜7重量%の水溶液を用いて洗浄を行なう酸雰囲気の2段目処理をこの順番に組み合せて行なうことを特徴とするウエハの洗浄方法。
IPC (3)：
H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/3205
FI (3)：
H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/88 M
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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