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J-GLOBAL ID：200903065252476180

化合物半導体気相成長装置および方法

Inventor：
大櫃 義徳

About 大櫃 義徳


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 西教 圭一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997200329
Publication number (International publication number)：1999045858
Application date： Jul. 25, 1997
Publication date： Feb. 16, 1999
Summary：
【要約】【課題】 反応生成物の成長室内壁への付着を抑制し、ダストの発生を抑えて良質な成膜を可能とし、メンテナンスの頻度も減少させることができる化合物半導体気相成長装置および方法を提供する【解決手段】 原料ガス導入管25は、成長室21の周囲に複数箇所設ける。GaASウェハ24を保持するウェハホルダ23の中心には排気管26の排気口27が開口する。原料ガスの流れ28は、周囲から横方向に中心に向い、成長室21の内壁に触れて反応生成物が析出しにくくなり、ダストの発生を抑制することができる。
Claim (excerpt)：
成長室内でほぼ水平な姿勢で保持される化合物半導体ウェハ上に、原料ガスを導入し、化合物半導体を成長させる化合物半導体気相成長装置において、原料ガスを成長室の周囲側から内側への横方向に導入するガス導入手段と、成長室内のガスを成長室の下部から排出するガス排出手段とを含むことを特徴とする化合物半導体気相成長装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 気相成長装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-219157   Applicant：シャープ株式会社
  • 特表平4-504442
  • 気相エピタキシャル成長装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-127122   Applicant：信越半導体株式会社
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