Pat
J-GLOBAL ID：200903065398585569
銅微粒子焼結体型の微細形状導電体の形成方法、該方法を応用した銅微細配線ならびに銅薄膜の形成方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
宮崎 昭夫
, 石橋 政幸
, 緒方 雅昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006332126
Publication number (International publication number)：2008146991
Application date： Dec. 08, 2006
Publication date： Jun. 26, 2008
Summary：
【課題】表面酸化膜層を有する銅微粒子の分散液を利用して、微細なパターン描画後、比較的に低い温度下において、パターン中の表面酸化膜層を有する銅微粒子または酸化銅微粒子に還元処理を施し、生成する銅微粒子を焼成して、優れた導電性を示す銅微粒子焼結体型の微細形状導電体を形成する方法の提供。【解決手段】平均粒子径1〜100nmの表面酸化膜層を有する銅微粒子または酸化銅微粒子を含む分散液を基板上に塗布した後、該塗布層中の微粒子を、例えば、1.5気圧以上に加圧条件下、水素分子を含む雰囲気中、200°C以上、300°C以下の温度に加熱し、水素分子を還元剤として利用する還元反応により、酸化被膜の還元を施し、得られる銅微粒子相互の焼結体層を形成する工程を、一連の加熱処理工程で実施する。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
基板上に銅ナノ粒子相互の焼結体層からなる微細な銅系配線パターンを形成する方法であって、
平均粒子径を1〜100nmの範囲に選択される、表面酸化膜層を有する銅ナノ粒子または酸化銅ナノ粒子を含有する分散液を用いて、前記微細な配線パターンの塗布層を基板上に描画する工程と、
前記塗布層中に含まれる、表面酸化膜層を有する銅ナノ粒子または酸化銅ナノ粒子に対して、表面酸化膜層または酸化銅を還元する処理を施し、さらに、還元処理を受けたナノ粒子の焼成を行って、焼結体層を形成する工程とを有し、
同一工程内で実施される、前記還元処理と焼成処理は、加熱温度を、150°C以上、300°C以下に選択して、水素ガス雰囲気下、または水素分子を含有する混合気体の雰囲気下において、少なくとも1.1気圧以上に加圧された状態において行う
ことを特徴とする微細な銅系配線パターンの形成方法。
IPC (3)：
H01B 13/00
, B22F 9/20
, H05K 1/09
H01B13/00 503D
, B22F9/20 E
, H05K1/09 A
4E351BB01
, 4E351DD04
, 4E351DD38
, 4E351DD52
, 4E351DD55
, 4E351EE01
, 4E351EE11
, 4E351GG20
, 4K017AA03
, 4K017BA05
, 4K017EH18
, 5G323CA03
, 5G323CA05
