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J-GLOBAL ID：200903065414630480

厚膜テープ状酸化物超電導体及びその製造方法

Inventor： 本庄 哲吏 ,  富士 広 ,  中村 雄一 ,  和泉 輝郎 ,  塩原 融
Applicant, Patent owner： 財団法人国際超電導産業技術研究センター ,  昭和電線電纜株式会社 ,  株式会社フジクラ ,  財団法人鉄道総合技術研究所
Agent (1)： 守谷 一雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002089186
Publication number (International publication number)：2003034527
Application date： Mar. 27, 2002
Publication date： Feb. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】 TFAを用いたMOD法により厚膜のテープ状酸化物超電導体を提供する。【解決手段】 RE系酸化物超電導体を構成する各金属元素を所定のモル比で含むTFA塩の混合溶液をIBAD複合基板上に塗布し、仮焼熱処理を施した前駆体に結晶化熱処理を施した酸化物超電導体において、基板上に前駆体を複数層形成するとともに、仮焼熱処理のうち少なくとも最外層の前駆体を除く仮焼熱処理温度を250〜350°Cの範囲内で、かつ結晶化熱処理中の少なくとも最外層の前駆体の結晶化到達前の結晶化熱処理雰囲気中の導入ガスの水蒸気分圧を0.5〜3.2vol%の範囲内で行うことにより厚膜のテープ状酸化物超電導体を容易に得ることができる。

Claim (excerpt)：

基板上に、酸化物超電導体を構成する各金属元素を所定のモル比で含む金属有機酸塩の混合溶液を塗布し、仮焼熱処理を施した酸化物超電導前駆体に結晶化熱処理を施した酸化物超電導体において、結晶化熱処理後の酸化物超電導体の厚さが0.5μm以上で、77Kにおける臨界電流密度が0.7MA/cm2を有することを特徴とする厚膜テープ状酸化物超電導体。

IPC (5)：

C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  H01B 12/06 ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24

FI (5)：

C01G 1/00 S ,  C01G 3/00 ZAA ,  H01B 12/06 ,  H01B 13/00 565 D ,  H01L 39/24 B

F-Term (28)：

4G047JA03 ,  4G047JA04 ,  4G047JB03 ,  4G047JC02 ,  4G047KB05 ,  4G047KB14 ,  4G047KD02 ,  4G047LA10 ,  4G047LB01 ,  4M113AD35 ,  4M113AD36 ,  4M113AD40 ,  4M113AD68 ,  4M113BA01 ,  4M113BA04 ,  4M113BA23 ,  4M113BA29 ,  4M113CA34 ,  5G321AA01 ,  5G321AA04 ,  5G321BA01 ,  5G321BA03 ,  5G321CA22 ,  5G321CA24 ,  5G321DB02 ,  5G321DB41 ,  5G321DB46 ,  5G321DB47