分光エリプソメータを用いた薄膜多層構造の解析方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井ノ口壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002256538
Publication number (International publication number)：2004093436
Application date： Sep. 02, 2002
Publication date： Mar. 25, 2004
Summary：

【課題】本発明による分光エリプソメータを用いた薄膜n層構造の解析方法では、膜厚や複素屈折率などの組み合わせモデルを設定し、そのシミュレーションスペクトルを算出して、そのシミュレーションスペクトルと測定スペクトルとのフィッティングを広範囲極小値計算法(EBLMC)を使用して行うことにより、薄膜多層構造を決定する。【解決手段】分光エリプソメータを用いた薄膜3層構造(d1,d2,d3 )の解析方法の実施形態は、分光エリプソメータを用いて試料4の測定データを得る分光測定フェーズと、薄膜3層構造の初期モデルを決定する解析フェーズ1と、前記初期モデルについて、3層構造中の注目層の未知の定数をEBLMCにより決定する第1段階と、前記決定された定数を採用して、他の層の定数をEBLMCにより決定する第2段階とを含む解析フェーズ2、および前記解析フェーズ2で得られたモデルについて最終フィッティングを行い、結果の確認をして保存する解析フェーズ3と、から構成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

分光エリプソメータを用いた薄膜3層構造の解析方法であって、分光エリプソメータを用いて測定データを得る分光測定フェーズと、薄膜3層構造の初期モデルを決定する解析フェーズ1と、前記初期モデルについて、3層構造中の注目層の未知の定数をEBLMCにより決定する第1段階と、前記決定された定数を採用して、他の層の定数をEBLMCにより決定する第2段階とを含む解析フェーズ2 から構成した分光エリプソメータを用いた薄膜3層構造の解析方法。

IPC (5)：

G01J4/04 , G01B11/06 , G01N21/21 , G01N21/41 , G01N21/45

FI (5)：

G01J4/04 Z , G01B11/06 Z , G01N21/21 Z , G01N21/41 Z , G01N21/45 A

F-Term (31)：

2F065AA30 , 2F065BB17 , 2F065BB22 , 2F065CC02 , 2F065CC31 , 2F065FF50 , 2F065GG03 , 2F065GG23 , 2F065HH12 , 2F065KK01 , 2F065LL02 , 2F065LL33 , 2F065LL34 , 2F065LL57 , 2F065LL67 , 2F065QQ18 , 2F065UU05 , 2F065UU07 , 2G059AA02 , 2G059AA03 , 2G059BB10 , 2G059EE02 , 2G059EE05 , 2G059EE12 , 2G059GG04 , 2G059GG10 , 2G059JJ01 , 2G059JJ17 , 2G059JJ18 , 2G059JJ19 , 2G059MM01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

偏光解析装置の波長変更方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-353423 Applicant：株式会社ユーレカ

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

“Characterization of biaxially-stretched plastic films by generalized ellipsometry”
“Overview of Variable Angle Spectroscopic Ellipsometry (VASE), Part I: Basic Theory and Typical App

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