Pat

J-GLOBAL ID：200903065461124801

高利得の吸収/増倍分離式の電子なだれフォトダイオード

Inventor： 方 炎坤 ,  李 坤憲 ,  李 ▲甘▼原
Applicant, Patent owner： 行政院国家科学委員会
Agent (1)： 藤野 清也 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999305286
Publication number (International publication number)：2001127336
Application date： Oct. 27, 1999
Publication date： May. 11, 2001
Summary：

【要約】【課題】 低コストの材料から、比較的簡単な製造プロセスを用い、低い処理温度の穏和な条件下に、高利得の吸収/増倍分離式の電子なだれフォトダイオードを製造し提供すること。また、高感度、高応答速度であり、特に、光通信システムなどに用いるデバイスとして好適なフォトダイオードを提供すること。【解決手段】 本発明は、基板と、該基板上に形成された、非晶質珪素ゲルマニウム(a-Si1-XGeX:H)よりなる吸収層と、該吸収層上に形成された、非晶質珪素(a-Si:H)よりなる増倍層と、該増倍層上に形成されるアルミニウムなどでなる電極層とからなる高利得の吸収/増倍分離式の電子なだれフォトダイオードである。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上に形成された、非晶質珪素ゲルマニウム(a-Si1-XGeX:H、式中Xはゲルマニウム原子の含有量を示す。)よりなる吸収層と、該吸収層上に形成された、非晶質珪素(a-Si:H)よりなる増倍層と、該増倍層上に形成された電極層とを少なくとも有することを特徴とする高利得の吸収/増倍分離式の電子なだれフォトダイオード。

F-Term (8)：

5F049MA08 ,  5F049MB05 ,  5F049NB01 ,  5F049SE02 ,  5F049SE04 ,  5F049SE05 ,  5F049SS01 ,  5F049WA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光電変換装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-259623   Applicant：キヤノン株式会社
• 半導体受光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-343313   Applicant：富士ゼロックス株式会社