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J-GLOBAL ID：200903065501493074

無機EL蛍光体薄膜用ターゲット、蛍光体薄膜、無機EL素子および硫化物蛍光体薄膜の製造方法

Inventor：
矢野 義彦

About 矢野 義彦


Applicant, Patent owner：
ティーディーケイ株式会社

About ティーディーケイ株式会社


Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999297022
Publication number (International publication number)：2001118677
Application date： Oct. 19, 1999
Publication date： Apr. 27, 2001
Summary：
【要約】【課題】 硫黄不足を抑制し、有毒ガス除去装置、安全対策が不要であり、硫化物薄膜の結晶性が高く、発光輝度、効率、色純度に優れた硫化物蛍光体薄膜が形成可能な無機EL蛍光体薄膜用ターゲット、これにより形成された蛍光体薄膜、無機EL素子および硫化物蛍光体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 II族-硫黄化合物、II族-III族-硫黄化合物または希土類硫化物を主成分とした母体材料と、この母体材料組成に対し、硫化マグネシウム(MgS)、硫化カルシウム(CaS)および硫化亜鉛(ZnS)のうちの1種類または2種類以上をMgS、CaSおよびZnS換算で5〜50 mol%含有する構成の無機EL蛍光体薄膜用ターゲット、これにより形成された蛍光体薄膜、無機EL素子、およびこれを用いた硫化物蛍光体薄膜の製造方法とした。
Claim (excerpt)：
II族-硫黄化合物、II族-III族-硫黄化合物または希土類硫化物を主成分とした母体材料と、この母体材料組成に対し、硫化マグネシウム(MgS)、硫化カルシウム(CaS)および硫化亜鉛(ZnS)のうちの1種類または2種類以上をMgS、CaSおよびZnS換算で3〜100 mol%含有する無機EL蛍光体薄膜用ターゲット。
F-Term (13)：
3K007AB02 ,  3K007AB03 ,  3K007AB04 ,  3K007CA00 ,  3K007CA01 ,  3K007CA02 ,  3K007DA02 ,  3K007DB01 ,  3K007DB02 ,  3K007DC02 ,  3K007DC04 ,  3K007FA01 ,  3K007FA03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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