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J-GLOBAL ID：200903065516102829

トンネル磁気抵抗素子、半導体接合素子、磁気メモリ、および半導体発光素子

Inventor： 田中 秀和 ,  川合 知二
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構
Agent (1)： 原 謙三
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2003003604
Publication number (International publication number)：WO2003081680
Application date： Mar. 25, 2003
Publication date： Oct. 02, 2003
Summary：

pin接合素子(10)は、強磁性p型半導体層(11)と強磁性n型半導体層(12)とが絶縁体層(13)を介して接合されて構成されており、強磁性p型半導体層(11)の磁化および強磁性n型半導体層(12)の磁化に応じたトンネル磁気抵抗を示すものである。このpin接合素子(10)では、逆方向バイアスを印加することで空乏層が形成され、この空乏層を介してトンネル電流を生じさせることができる。したがって、従来のトンネル磁気抵抗素子より絶縁体層を厚く形成したとしてもトンネル電流を生じさせることができる。

Claim (excerpt)：

第1強磁性体層と第2強磁性体層とが絶縁体層を介して接合されており、上記第1強磁性体層の磁化および上記第2強磁性体層の磁化に応じたトンネル磁気抵抗を示すトンネル磁気抵抗素子において、 上記第1強磁性体層がp型半導体であり、上記第2強磁性体層がn型半導体であるトンネル磁気抵抗素子。

IPC (5)：

H01L43/08 ,  H01F10/193 ,  H01F10/32 ,  H01L27/105 ,  H01L33/00

FI (7)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/08 M ,  H01L43/08 S ,  H01F10/193 ,  H01F10/32 ,  H01L33/00 A ,  H01L27/10 447