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J-GLOBAL ID:200903065536808590

光電変換素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 森田 順之
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004257663
Publication number (International publication number):2006073900
Application date: Sep. 03, 2004
Publication date: Mar. 16, 2006
Summary:
【課題】 太陽光発電装置や太陽光発電システムなどに用いられる光電変換素子において、ドナー/アクセプターの相分離構造が制御された、良好な光電変換層を作製できる光電変換材料を提供する。【解決手段】 電子供与性(または電子受容性)を有する分子構造を含むブロックと水素結合形成能を有する分子構造を含むブロックから少なくとも構成されるブロック共重合体と、該ブロック共重合体の水素結合形成能を有する分子構造と水素結合を形成する電子受容性化合物(または電子供与性化合物)とからなる光電変換層を有する光電変換素子により前記課題が達成できる。【選択図】なし
Claim (excerpt):
電子供与性を有する分子構造を含むブロックと水素結合形成能を有する分子構造を含むブロックから構成されるブロック共重合体と、該ブロック共重合体の水素結合形成能を有する分子構造と水素結合を形成する電子受容性化合物とからなる光電変換層を有することを特徴とする光電変換素子。
IPC (3):
H01L 51/42 ,  C08F 295/00 ,  C08L 53/00
FI (3):
H01L31/04 D ,  C08F295/00 ,  C08L53/00
F-Term (22):
4J002BP03W ,  4J002CE00X ,  4J002EG076 ,  4J002EU026 ,  4J002EU046 ,  4J002FD20X ,  4J002FD206 ,  4J002GQ00 ,  4J026HA19 ,  4J026HA29 ,  4J026HA40 ,  4J026HB11 ,  4J026HB28 ,  4J026HB39 ,  4J026HB44 ,  4J026HB45 ,  4J026HB46 ,  4J026HE01 ,  5F051AA11 ,  5F051FA18 ,  5F051GA03 ,  5F051GA06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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