半導体加速度センサおよびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊藤洋二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997213547
Publication number (International publication number)：1999051966
Application date： Aug. 07, 1997
Publication date： Feb. 26, 1999
Summary：

【要約】【課題】容量式の半導体加速度センサにおいて、可動部および固定電極の付着といった問題が生じない構造とする。【解決手段】可動部1の可動電極4を固定電極6、7と対向配置し、加速度を受けて可動部1が変位したときの可動電極4と固定電極6、7間の容量変化に基づいて加速度を検出するようにしたものであって、第1の半導体層21と第2の半導体層23との間に絶縁層22を有するSOI基板20によって構成され、第1の半導体層21および絶縁層22は、可動部1と固定電極6、7を形成する領域において第2の半導体層23が露出するように除去されており、第2の半導体層23には前記除去された領域において貫通溝10が形成され、この貫通溝10によって第2の半導体層23に可動部1および固定電極6、7が形成されている。

Claim (excerpt)：

可動電極(4)を有する可動部(1)と、前記可動電極(4)と対向して配置された固定電極(6、7)とを有し、加速度を受けて前記可動部(1)が変位したときの前記可動電極(4)と前記固定電極(6、7)間の容量変化に基づいて前記加速度を検出する半導体加速度センサにおいて、一方の表面側に第1の半導体層(21)を有し他方の表面側に第2の半導体層(23)を有する半導体基板(20)によって構成され、前記半導体基板(20)の一方の表面側の所定領域において、前記第2の半導体層(23)が露出するように除去されており、前記第2の半導体層(23)には前記所定領域において貫通溝(10)が形成され、この貫通溝(10)によって前記第2の半導体層(23)に前記可動部(1)および前記固定電極(6、7)が形成されていることを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (2)：

G01P 15/125 , H01L 29/84

FI (2)：

G01P 15/125 , H01L 29/84 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

静電容量型加速度センサ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-325717 Applicant：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
特開平4-009770
センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-140855 Applicant：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング

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