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J-GLOBAL ID：200903065610478077
半導体回路パターンの検査装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002163701
Publication number (International publication number)：2004014207
Application date： Jun. 05, 2002
Publication date： Jan. 15, 2004
Summary：
【課題】半導体装置の製造過程にあるウェハ上の半導体装置の回路パターンの欠陥を電位コントラストにより検出する装置において、電子源を複数備えることなく高感度に検出可能とする。【解決手段】電子線の電流を制限する絞りに、光軸中心の孔以外の孔を周囲に1個または複数個設け、それらの孔を通過した電子線が対物レンズの球面収差の作用により中心の孔からの電子線の着地点よりやや離れた場所に着地するようにする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
電子線を発生する電子源と電子線を被検査半導体回路パターン上に集束する対物レンズと上記電子線の電流量を調整するための絞りと上記電子線を被検査半導体回路パターンの所望の位置に位置付けるための偏向器と絶縁物を含む上記被検査半導体回路パターンの第1と第2の領域の画像を電子線により取得した画像を比較することで上記被検査半導体回路パターンの欠陥を検査する装置において、上記絞りは電子線の光軸中心にほぼ一致する位置に備えた中心孔と、上記中心孔の周囲に中心穴と比較して小さい孔を1個または複数個有することを特徴とする半導体回路パターンの検査装置。
IPC (5)：
H01J37/09
, H01J37/06
, H01J37/22
, H01J37/28
, H01L21/66
H01J37/09 A
, H01J37/06 Z
, H01J37/22 502H
, H01J37/28 B
, H01L21/66 J
4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106CA39
, 4M106DB12
, 5C030BB01
, 5C030BC06
, 5C033BB01
, 5C033UU03
, 5C033UU05
Cited by examiner (2)
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微小構造欠陥の検出
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-002030
Applicant：シュルンベルジェテクノロジー,インコーポレーテッド
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回路パターンの検査方法及び検査装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-045234
Applicant：株式会社日立製作所
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