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J-GLOBAL ID：200903069311584290

微小構造欠陥の検出

Inventor：
チウェイ ウェイン ロー

About チウェイ ウェイン ロー

, 
ピエール ペレス

About ピエール ペレス


Applicant, Patent owner：
シュルンベルジェ テクノロジー,インコーポレーテッド

About シュルンベルジェ テクノロジー,インコーポレーテッド


Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000002030
Publication number (International publication number)：2000208579
Application date： Jan. 07, 2000
Publication date： Jul. 28, 2000
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 とくに貫通孔を含む微小構造の欠陥の検出を行う方法および装置。【解決方法】 コンタクト孔やバイアホールのある領域を負極性に帯電させるようにウェーハ220に帯電粒子ビームを導く過程と、帯電粒子ビームによる走査を検出出力信号を発生するように二次粒子を検出しながら行う過程と、検出出力信号から貫通孔の見かけ上の寸法を判定する過程と、欠陥を検出するように貫通孔の見かけ上の寸法を基準情報と比較する過程とを含む。基準情報は慣用の電圧コントラスト画像で構成でき、又コンタクト孔の所期の物理的大きさ及びコンタクト孔の内部又は下の材料の電気的接続性を指示する設計データでも構成できる。ウェーハの帯電は、フラッドガン208からの電子フラッドをウェーハの表面に向けながら二次電子をウェーハに戻すようにエネルギーフィルタ206の電圧設定を行ったりすることにより行う。
Claim (excerpt)：
半導体ウェーハを検査する方法であって(a)基板貫通孔のある前記ウェーハの領域を負極性に帯電させるように前記ウェーハに帯電粒子ビームを導く過程と、(b)前記領域の帯電粒子ビームによる走査を二次粒子を検出しながら検出出力信号を発生するように行う過程と、(c)前記検出出力信号から前記少なくとも一つの貫通孔の見かけ上の寸法を算定する過程と、(d)欠陥を検出するように前記少なくとも一つの貫通孔の見かけ上の寸法を基準情報と比較する過程とを含む方法。
IPC (5)：
H01L 21/66 ,  G01R 1/06 ,  G01R 31/302 ,  H01J 37/22 502 ,  H01J 37/28
FI (5)：
H01L 21/66 P ,  G01R 1/06 F ,  H01J 37/22 502 H ,  H01J 37/28 B ,  G01R 31/28 L
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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