半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：服部雅紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994313519
Publication number (International publication number)：1995202015
Application date： Dec. 16, 1994
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】製造が容易で生産性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】第1導電型領域であるN型領域203の上部にコンタクトマージンを確保する接続パッド層205が形成される。第2導電型領域であるP型領域204の上部には接続パッド層は形成されず、層間絶縁層206の開口部から電極207が直接接続される。製造方法としては、半導体基板201の全面に絶縁層を形成し、マスクパターンにより露出された第1導電型領域の絶縁層を異方性食刻し、後続する第1導電型不純物注入工程では残存する絶縁層を不純物注入防止マスクとする。接続パッド層となる物質層は不純物注入前に形成し、不純物注入後にパタニングする。第2導電型領域には別途絶縁層を形成し、第2導電型領域を露出させるマスクパターンを用いて選択的に異方性食刻し、残存する絶縁層または第2導電型領域を露出させるマスクパターンを不純物注入防止マスクとする。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に選択的に形成されている少なくとも一つの第1導電型領域および少なくとも一つの第2導電型領域と、前記第1導電型領域の上部に形成され、前記第1導電型領域に隣接する部位の上部に所定の絶縁層を介して延長されるように形成されてコンタクトマージンを増加させる接続パッド層と、前記第2導電型領域および前記接続パッド層を露出させる多数の開口部を有する層間絶縁層を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/8242 , H01L 27/108

FI (2)：

H01L 27/08 321 E , H01L 27/10 325 R

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開平3-120753
MOS型トランジスタ半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-296306 Applicant：株式会社エヌ・エム・ビーセミコンダクター
特開平1-132155

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Cited by examiner (4)

特開平3-120753
MOS型トランジスタ半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-296306 Applicant：株式会社エヌ・エム・ビーセミコンダクター
特開平1-132155

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