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J-GLOBAL ID：200903065671050649

耐割損性のすぐれた半導体装置の誘電薄膜形成用スパッタリング焼結ターゲット材

Inventor： 三島 昭史 ,  森 暁 ,  渡辺 和男
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 富田 和夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993171123
Publication number (International publication number)：1995003444
Application date： Jun. 17, 1993
Publication date： Jan. 06, 1995
Summary：

【要約】【目的】 熱歪に対してすぐれた耐割損性を示す半導体装置の誘電薄膜形成用スパッタリング焼結ターゲット材を提供する。【構成】 半導体装置の誘電薄膜形成用スパッタリング焼結ターゲット材が、不可避不純物の含有量が90ppm 以下の高純度のBaとSrとTiの複合酸化物からなる。

Claim (excerpt)：

高純度のBaとSrとTiの複合酸化物からなり、かつ不可避不純物の含有量が90ppm 以下であることを特徴とする耐割損性のすぐれた半導体装置の誘電薄膜形成用スパッタリング焼結ターゲット材。

IPC (2)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平3-257020
  
• 高純度PZT粉末の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-283906   Applicant：三菱マテリアル株式会社