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J-GLOBAL ID：200903065682212179

埋込プラグの形成方法

Inventor： 山本 浩 ,  片桐 智治 ,  近藤 英一 ,  太田 与洋
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993054230
Publication number (International publication number)：1994267956
Application date： Mar. 15, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 低抵抗で良質なAl金属からなる埋込プラグを選択的に形成することのできる埋込プラグの形成方法を提供する。【構成】 SiO2 膜2上に配線金属膜3が形成され、この配線金属膜3上にSiO2 からなる層間絶縁膜4が形成される。この絶縁膜4は選択的に除去され、ヴィア孔4aが形成される。次に、DMAHガスが流されてこのヴィア孔4aの内部に選択的に純Al金属5が形成される。次に、DMAHガスの供給が停止され、替わりにCpCuTEPガスが供給されてAl金属5上にのみ選択的にCu膜6が形成される。その後、熱処理が加えられ、Cu膜6からAl金属5へCuが拡散され、AlCuからなる埋込プラグが選択的に形成される。また、Al金属5に拡散し切れずに残ったCu膜6は除去される。

Claim (excerpt)：

金属膜上に形成された絶縁膜を選択的に除去して前記金属膜が一部露出するヴィア孔を形成する工程と、Al元素を含む所定のガスを用いた化学気相反応によって前記ヴィア孔の内部にAl金属を選択的に形成する工程と、前記ガスの供給を止めてCu元素を含む所定のガスを用いた化学気相反応によって前記Al金属上にのみ選択的にCu膜を形成する工程と、熱処理を加えて前記Cu膜から前記Al金属にCuを拡散してAlCuからなる埋込プラグを形成する工程とを備えたことを特徴とする埋込プラグの形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/90