強誘電体薄膜と基体との複合構造体

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：中村純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994053507
Publication number (International publication number)：1995263775
Application date： Mar. 24, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】Siの拡散を抑制した良好な特性のPb系強誘電体とSi系基体との複合構造体を提供する。【構成】シリコンを含有する基板または薄膜からなる基体上に、鉛を含有する強誘電体薄膜を載置した強誘電体薄膜と基体との複合構造体において、上記強誘電体薄膜(例えばPbTiO<SB>3</SB>強誘電体膜)3と上記基体(例えばSi基板)1との間に、化学量論組成からはずれて鉛が不足しているチタン酸鉛層〔例えばPb<SB>x</SB>TiO<SB>x+2</SB>(x<1)〕もしくはジルコンを主元素とする酸化物層(例えばZrO<SB>2</SB>)からなる誘電体薄膜2を挾持したことを特徴とする強誘電体薄膜と基体の複合構造体。

Claim (excerpt)：

シリコンを含有する基板または薄膜からなる基体上に、鉛を含有する強誘電体薄膜を載置した強誘電体薄膜と基体との複合構造体において、上記強誘電体薄膜と上記基体との間に、化学量論組成からはずれて鉛が不足しているチタン酸鉛層もしくはジルコンを主元素とする酸化物層からなる誘電体薄膜を挾持したことを特徴とする強誘電体薄膜と基体との複合構造体。

IPC (10)：

H01L 49/02 , C04B 35/48 , C30B 25/14 , C30B 29/22 , H01B 3/00 , H01L 21/283 , H01L 21/314 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2)：

C04B 35/48 D , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

電界効果トランジスタ、これに用いる誘電体積層構造およびこれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-295434 Applicant：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
特開平4-279069
特開昭49-118371

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