Pat
J-GLOBAL ID:200903065698934344
ガス拡散電極
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
伊東 哲也
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2002541144
Publication number (International publication number):2004513241
Application date: Oct. 31, 2001
Publication date: Apr. 30, 2004
Summary:
本発明は、疎水性ガス拡散層(3b)、反応層(3a)および親水性層(5)をこの順序で配置して含むガス拡散電極(1)に関し、反応層(3a)は障壁層(4)に配置され、障壁層(4)はその反対面で親水性層(5)に配置される。また、本発明はこのようなガス拡散電極(1)の製造方法、電解槽、及びその使用に関する。
Claim (excerpt):
疎水性ガス拡散層(3b)、反応層(3a)、障壁層(4)および親水性層(5)をこの順序に配置して含むことを特徴とするガス拡散電極(1)。
IPC (3):
C25B11/02
, C25B1/16
, C25B9/00
FI (3):
C25B11/02
, C25B1/16
, C25B9/00 C
F-Term (16):
4K011AA04
, 4K011AA10
, 4K011AA11
, 4K011AA15
, 4K011AA30
, 4K011AA68
, 4K011CA04
, 4K011CA13
, 4K011DA02
, 4K021AA03
, 4K021AB01
, 4K021DB16
, 4K021DB18
, 4K021DB21
, 4K021DB31
, 4K021DB36
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
-
ガス拡散電極およびその生産方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-210912
Applicant:メタルゲゼルシャフト・アクチエンゲゼルシャフト
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高性能な銀系ガス拡散電極及びその電極用の反応層原料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-014558
Applicant:古屋長一, 東亞合成株式会社, 三井化学株式会社, 鐘淵化学工業株式会社
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