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J-GLOBAL ID：200903065702390672
磁気検出素子の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
野▲崎▼ 照夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002032728
Publication number (International publication number)：2003092444
Application date： Feb. 08, 2002
Publication date： Mar. 28, 2003
Summary：
【要約】【課題】 ミリングによって削られた面であるフリー磁性層の両側端面に縦バイアスをかけるための強磁性層を接合するエクスチェンジバイアス方式の磁気検出素子の製造方法では、フリー磁性層に確実に縦バイアスをかけることのできる磁気検出素子を形成することが困難であった。【解決手段】 一定の厚さで形成されている非磁性層18上に、強磁性層19及び第2反強磁性層20を積層した後、第2反強磁性層20を掘り込んで凹部22を形成することによって、フリー磁性層17をトラック幅方向に確実に単磁区化できる磁気検出素子を形成することができる。
Claim (excerpt)：
(a)基板上に第1反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、フリー磁性層、及び非磁性層を有する多層膜を成膜する工程と、(b)前記多層膜を、第1の熱処理温度、第1の大きさの磁界中で、第1の磁場中アニールして前記固定磁性層の磁化方向を所定の方向に固定する工程と、(c)前記多層膜上に、強磁性層及び第2反強磁性層を成膜する工程と、(d)側面が前記第2反強磁性層及び前記強磁性層を貫通し、底面が前記非磁性層内に位置する凹部を形成する工程と、(e)前記第2反強磁性層が積層された多層膜を、第2の熱処理温度、第2の大きさの磁界中で第2の磁場中アニールすることにより、前記フリー磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向と交叉する方向に固定する工程、を有することを特徴とする磁気検出素子の製造方法。
IPC (6)：
H01L 43/12
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/32
, H01L 43/08
H01L 43/12
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/32
, H01L 43/08 Z
, G01R 33/06 R
2G017AA01
, 2G017AD55
, 2G017AD65
, 5D034BA03
, 5D034CA08
, 5D034DA07
, 5E049AA04
, 5E049AC05
, 5E049BA16
, 5E049DB12
, 5E049EB01
, 5E049EB06
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