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J-GLOBAL ID：200903065768627444

電界効果型トランジスタ

Inventor： 水田 正志 ,  葛原 正明 ,  梨本 泰信 ,  麻埜 和則 ,  三好 陽介 ,  望月 康則
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998268394
Publication number (International publication number)：2000100831
Application date： Sep. 22, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高い耐圧特性と、良好な利得特性および高周波特性を兼ね備えた電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】 フィールドプレート部9とチャネル層2との間に、比誘電率8以上の高誘電体材料からなる誘電体膜4を設ける。高誘電体材料としてはたとえば酸化タンタル(Ta2O5)を用いる。

Claim (excerpt)：

表面にチャネル層が形成された半導体基板と、前記半導体基板上に離間して形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置され、前記チャネル層とショットキ接合したゲート電極とを有し、前記ゲート電極は庇状のフィールドプレート部を備え、前記フィールドプレート部と前記チャネル層との間に、比誘電率8以上の高誘電体材料からなる誘電体膜が設けられたことを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

F-Term (22)：

5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL05 ,  5F102GN05 ,  5F102GR04 ,  5F102GS02 ,  5F102GS04 ,  5F102GS06 ,  5F102GS07 ,  5F102GS09 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102GT06 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-182576   Applicant：松下電器産業株式会社
• ショットキーゲート型電界効果トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-220362   Applicant：株式会社東芝
• 特開平1-096966