加速度センサ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004048648
Publication number (International publication number)：2005241307
Application date： Feb. 24, 2004
Publication date： Sep. 08, 2005
Summary：

【課題】絶縁膜が加速度の検出値に及ぼす影響を低減し、出力特性の安定した加速度センサを提供すること。【解決手段】半導体基板からなり、内方を開口したフレーム部2から開口内に延設されたビーム部3と、ビーム部3に支持されて遊動自在に可動する錘部4とからなり、ビーム部の表層に作用する加速度の大きさにより抵抗値の変化するピエゾ抵抗5と、ピエゾ抵抗と接続される拡散配線7bと、基板のピエゾ抵抗5を形成した面側に設けられた絶縁膜とを有する加速度センサ。絶縁膜6は、基板の線膨張係数に対して小さい線膨張係数を有し、かつビーム部3上の絶縁膜6は、フレーム部2側からビーム部3の中央位置までの領域の平均膜厚と中央位置から錘部4側までの領域の平均膜厚との関係において、フレーム部2側からビーム部3の中央位置までの領域の平均膜厚が中央位置から錘部4側までの領域の平均膜厚より大きく形成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板からなり、内方を開口したフレーム部と、フレーム部から前記開口内に延設された弾性を有するビーム部と、ビーム部に支持されて遊動自在に可動する錘部と、ビーム部の表層に設けられて作用する加速度の大きさにより抵抗値の変化するピエゾ抵抗と、少なくともビーム部上に設けられてピエゾ抵抗と接続される拡散配線と、前記基板の前記ピエゾ抵抗を形成した面側に設けられた絶縁膜と、を備えた加速度センサであって、前記絶縁膜は、前記基板の線膨張係数に対して小さい線膨張係数を有しており、かつ前記ビーム部に位置する絶縁膜は、前記フレーム部側からビーム部の中央位置までの領域の平均膜厚と前記中央位置から前記錘部側までの領域の平均膜厚との関係において、フレーム部側からビーム部の中央位置までの領域の平均膜厚が前記中央位置から錘部側までの領域の平均膜厚より大きく形成されてなり、フレーム部に前記開口を縮小させる方向の力が作用していない状態において、錘部はビーム部の前記表層とは反対側の方向に変位しており、フレーム部に開口を縮小させる方向の力が作用している状態において、錘部はビーム部の表層側に変位することを特徴とする加速度センサ。

IPC (2)：

G01P15/12 , H01L29/84

FI (2)：

G01P15/12 D , H01L29/84 A

F-Term (11)：

4M112AA02 , 4M112BA01 , 4M112CA21 , 4M112CA24 , 4M112CA29 , 4M112CA31 , 4M112DA13 , 4M112DA18 , 4M112EA02 , 4M112EA06 , 4M112FA09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

加速度センサおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-074840 Applicant：富士電機株式会社

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