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J-GLOBAL ID：200903065805355735

半導体記憶装置

Inventor： 秋岡 隆志 ,  岩村 将弘 ,  内田 英明
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993051914
Publication number (International publication number)：1994267279
Application date： Mar. 12, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 サイクル時間内に多くのデータを入力または出力することができること。【構成】 アドレス信号がアドレスレジスタ10,12に入力されるとアドレス信号が一定時間保持されたあとデコーダ14,16に出力される。デコーダ14,16からアドレス信号に従ったデコード信号が出力されると、メモリセルアレイ18,20から指定のデータが選択されセンスアンプ22,24を介してそれぞれ出力レジスタ26,28へ出力される。出力レジスタ26に入力されたデータは一定時間保持されたあと出力セレクタ32へ出力される。一方出力レジスタ28に入力されたデータは一定時間保持されたあと補助出力レジスタ30で更に一定時間保持されたあと出力セレクタ32へ出力される。出力セレクタ32に入力されたデータは1サイクル時間内に交互に選択され出力される。すなわち1サイクル時間内に2個のデータが交互に出力されることになる。

Claim (excerpt)：

アドレス信号を受けこのアドレス信号を一定時間保持して出力する複数のアドレス入力バッファと、各アドレス入力バッファの出力信号をデコードする複数のアドレスデコーダと、複数のメモリセルを有し各メモリセルに記憶されたデータの中から各アドレスデコーダの出力信号に従ったデータを出力する複数のメモリセルアレイと、各メモリセルアレイの出力データをそれぞれ相異なる時間だけ保持して順次出力する複数のデータ出力バッファと、各データ出力バッファの出力データを順番に選択して出力するデータ選択手段とを備えている半導体記憶装置。

IPC (3)：

G11C 11/413 ,  G01D 9/00 ,  G11C 11/401

FI (2)：

G11C 11/34 J ,  G11C 11/34 362 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-345993
  
• 記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-245316   Applicant：日本電気株式会社