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J-GLOBAL ID:200903089959448430
記憶装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
内原 晋
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991245316
Publication number (International publication number):1993081864
Application date: Sep. 25, 1991
Publication date: Apr. 02, 1993
Summary:
【要約】【目的】デジタル回路を構成した時、速度は回路の複雑さによって決まるが、特にネックとなる記憶装置の速度について、より速い速度で使用できる回路を提供する。【構成】アドレス信号をラッチする第1のラッチと、第1のラッチの出力信号によりデータを出力する記憶回路と、記憶回路の出力をラッチする第2のラッチにより構成される記憶部を複数個備え、各記憶部の出力はセレクタにより選択されて出力される。
Claim (excerpt):
アドレス信号をラッチする第1のラッチ回路と、前記第1のラッチ回路の出力によりアドレスが決定されあらかじめ記憶された信号を出力する記憶回路と、前記記憶回路の出力をラッチする第2のラッチ回路によって構成される記憶部を複数組有し、入力側アドレス信号は全ての記憶部に同一に入力され、記憶部出力はセレクタを通して出力されることを特徴とする記憶装置。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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特開昭63-300493
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特開平2-244487
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特開平3-076094
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特開平2-285585
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半導体記憶素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-157315
Applicant:日本電気株式会社
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