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J-GLOBAL ID：200903065832750310

半導体装置およびその作製方法

Inventor： 竹村 保彦 ,  寺本 聡
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994191020
Publication number (International publication number)：1996037311
Application date： Jul. 21, 1994
Publication date： Feb. 06, 1996
Summary：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタの動作を安定化させる。【構成】 N型のソース領域110、N型の低不純物濃度領域112、を有する薄膜トランジスタの構成において、正の電荷をトラップする窒化珪素膜110を設ける。窒化珪素膜120には、正の電荷がトラップされるので、ソース領域110の表面と低不純物濃度領域112の表面には、電子が誘起され、N型半導体としての動作が安定する。結果として、Nチャネル型の薄膜トランジスタの動作が安定化される。

Claim (excerpt)：

N型を有するソースおよび/またはドレイン領域とチャネル形成領域との間に配置された低不純物濃度のN型領域を有し、該低不純物濃度のN型領域上にはゲイト絶縁膜が形成されており、前記ゲイト絶縁膜上には正の電荷をトラップする絶縁膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 29/78 311 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 多結晶シリコン薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-320716   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開昭62-084562
  
• 特開昭60-136259