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J-GLOBAL ID：200903065932586134

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 井上 薫 ,  池田 義人 ,  廣瀬 裕 ,  西井 勝則
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002052723
Publication number (International publication number)：2003258258
Application date： Feb. 28, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】 ゲート絶縁膜にGaN系半導体の熱酸化膜を用いたGaN系半導体による電界効果トランジスタのリーク電流を低減し、素子の信頼性と動作電圧の向上を図った半導体装置を提供する【解決手段】 GaN系半導体上のゲート電極形成領域にGaN系半導体の熱酸化膜と絶縁膜とが順に形成され、その上にゲート電極が形成されてなる構造を有する絶縁ゲート型FETとする。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム系半導体上のゲート電極形成領域上に酸化された窒化ガリウム系半導体と絶縁膜とが順次形成され、前記絶縁膜の上にゲート電極が形成されてなる構造を有する半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/336

FI (5)：

H01L 21/316 M ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 617 V

F-Term (35)：

5F058BA01 ,  5F058BB01 ,  5F058BC02 ,  5F058BF52 ,  5F058BF62 ,  5F110AA12 ,  5F110AA13 ,  5F110BB12 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110EE47 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF30 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG34 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• GaN系絶縁ゲート形電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-137493   Applicant：古河電気工業株式会社