非極性a面窒化物半導体単結晶基板およびその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (11)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 橋本良郎 , 風間鉄也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005136017
Publication number (International publication number)：2005320237
Application date： May. 09, 2005
Publication date： Nov. 17, 2005
Summary：

【課題】気孔、反りまたはクラックのない、良質の非極性a面窒化物半導体単結晶基板;およびそれを効率よく製造する方法の提供。【解決手段】厚さ130μm以上のa面({11-20}面)窒化物半導体単結晶基板;およびハイドライド気相成長法(HVPE)を用いて950〜1,100°Cに加熱したr面サファイア単結晶基材上に、a面窒化物半導体単結晶膜を30〜300μm/hrの速度で成長させた後、前記基材と分離して表面研磨処理することを含む、a面窒化物半導体単結晶基板の製造方法。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

厚さ130μm以上のa面({11-20}面)窒化物半導体単結晶基板。

IPC (3)：

C30B29/38 , C23C16/34 , H01L21/205

FI (3)：

C30B29/38 D , C23C16/34 , H01L21/205

F-Term (37)：

4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077AB08 , 4G077AB09 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DB04 , 4G077DB05 , 4G077EC09 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077FJ03 , 4G077HA12 , 4G077TB02 , 4G077TB03 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4G077TK11 , 4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030CA05 , 4K030DA02 , 4K030FA10 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC03 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF09 , 5F045BB11 , 5F045EB15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

米国特許公開第2003-198837号公報

Cited by examiner (1)

単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-207783 Applicant：住友電気工業株式会社

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