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J-GLOBAL ID：200903065937466129

透明導電膜の形成方法

Inventor： 細野 秀雄 ,  川副 博司 ,  折田 政寛
Applicant, Patent owner： ホーヤ株式会社 ,  東京工業大学長
Agent (1)： 藤村 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999033396
Publication number (International publication number)：1999297138
Application date： Feb. 10, 1999
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 高いキャリア密度と高い移動度を有する高電気伝導率の透明導電膜を、再現性良く容易に製造できる形成方法等を提供する。【解決手段】 微細パターン状に分布したドーパント濃度が高い領域1と、前記ドーパント濃度が高い領域1の周辺部のドーパント濃度が低い領域2からなる電子移動領域とを有する透明導電膜の形成方法であって、前記電子移動領域を、ドーパントを含有した透明導電膜(例えば、SnをドープしたIn2O3)にレーザー光を照射することにより形成する。

Claim (excerpt)：

微細パターン状に分布したドーパント濃度が高い領域と、前記ドーパント濃度が高い領域の周辺部のドーパント濃度が低い領域からなる電子移動領域とを有する透明導電膜の形成方法であって、前記電子移動領域を、ドーパントを含有した透明導電膜にレーザー光を照射することにより形成することを特徴とする透明導電膜の形成方法。

IPC (3)：

H01B 13/00 503 ,  H01J 9/02 ,  H01J 11/02

FI (3)：

H01B 13/00 503 D ,  H01J 9/02 F ,  H01J 11/02 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開昭61-183813
  
• 金属分散ゲル膜およびその製造方法ならびにIn2O3-SnO2薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-187208   Applicant：株式会社関西新技術研究所

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-183813
  
• 金属分散ゲル膜およびその製造方法ならびにIn2O3-SnO2薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-187208   Applicant：株式会社関西新技術研究所
• 特開昭61-183813