高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小島隆司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000249269
Publication number (International publication number)：2001133979
Application date： Aug. 21, 2000
Publication date： May. 18, 2001
Summary：

【要約】【解決手段】下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>,R<SP>2</SP>,R<SP>3</SP>の少なくとも一つがフッ素原子又はトリフルオロメチル基であり、残りは水素原子又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である。R<SP>4</SP>は酸不安定基であり、0<k≦1、0≦m<1の範囲であり、k+m=1である。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性、再現性にも優れている。従って、本発明のレジスト材料は、これらの特性より、特にKr<SB>2</SB>,F<SB>2</SB>,ArF,KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>,R<SP>2</SP>,R<SP>3</SP>の少なくとも一つがフッ素原子又はトリフルオロメチル基であり、残りは水素原子又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である。R<SP>4</SP>は酸不安定基であり、0<k≦1、0≦m<1の範囲であり、k+m=1である。)

IPC (10)：

G03F 7/039 601 , C08F 8/00 , C08F 16/14 , C08K 5/00 , C08L 29/04 , C08L 29/10 , G03F 7/004 501 , G03F 7/038 601 , G03F 7/38 , H01L 21/027

FI (10)：

G03F 7/039 601 , C08F 8/00 , C08F 16/14 , C08K 5/00 , C08L 29/04 , C08L 29/10 , G03F 7/004 501 , G03F 7/038 601 , G03F 7/38 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-040647 Applicant：松下電器産業株式会社
特開昭61-007303
官能性トリフルオロビニルモノマー及びそれとフルオロオレフィンとの共重合
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-583838 Applicant：ソルヴェイ

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Cited by examiner (5)

パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-040647 Applicant：松下電器産業株式会社
特開昭61-007303
特開昭61-007303

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