パターン形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000040647
Publication number (International publication number)：2000321774
Application date： Feb. 18, 2000
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】露光光として1nm帯〜180nm帯の光を用いてパターン露光を行なってレジストパターンを形成する場合に、良好なパターン形状が得られるようにする。【解決手段】ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アミノ基、アルキル基、トリフルオロメチル基及びメルカプト基からなる群の中から選ばれた少なくとも1つの原子又は基を含むレジスト材料を半導体基板10の上に塗布してレジスト膜11を形成する。レジスト膜11に、157nm帯の波長を持つF2 レーザ光13をマスク12を介して照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜11を現像してレジストパターン14を形成する。

Claim (excerpt)：

ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アミノ基、アルキル基、トリフルオロメチル基及びメルカプト基からなる群の中から選ばれた少なくとも1つの原子又は基を含むレジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜に、1nm帯〜180nm帯の波長を持つ露光光を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光された前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成するパターン形成工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/11 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/11 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-223861
新規なコポリマーとコポリマー樹脂バインダー成分からなるフォトレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-188849 Applicant：シップレーカンパニーエルエルシー
ポジ型感光性組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-028944 Applicant：富士写真フイルム株式会社

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