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J-GLOBAL ID:200903065960281527

窒素酸化物吸蔵還元触媒のマイクロ波アシスト脱硫

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (6): 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  出野 知 ,  蛯谷 厚志 ,  堂垣 泰雄
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2007553349
Publication number (International publication number):2008528281
Application date: Jan. 31, 2006
Publication date: Jul. 31, 2008
Summary:
触媒から硫黄および硫黄化合物を除去するプロセスは以下の工程を含む:触媒を還元雰囲気に暴露する工程および触媒をマイクロ波エネルギーに暴露する工程。触媒からの硫黄および硫黄化合物の脱着は、600°Cより低い温度で起こる。
Claim (excerpt):
触媒から硫黄および硫黄化合物を除去するプロセスであって、以下の工程: a)触媒を提供する工程; b)該触媒を還元雰囲気に暴露する工程; c)該触媒をマイクロ波エネルギーに暴露する工程 を含んでなり、該触媒からの該硫黄および硫黄化合物の脱着が600°C未満の温度で起こるプロセス。
IPC (5):
B01J 38/10 ,  B01J 23/58 ,  B01D 53/86 ,  B01D 53/94 ,  F01N 3/20
FI (7):
B01J38/10 A ,  B01J23/58 A ,  B01J38/10 C ,  B01D53/36 K ,  B01D53/36 102B ,  B01D53/36 104A ,  F01N3/20 E
F-Term (75):
3G091AB03 ,  3G091AB06 ,  3G091AB11 ,  3G091BA11 ,  3G091BA14 ,  3G091BA15 ,  3G091BA19 ,  3G091CA19 ,  3G091FC02 ,  3G091GB01W ,  3G091GB02W ,  3G091GB06W ,  3G091GB07W ,  3G091GB10W ,  3G091GB10X ,  4D048AA06 ,  4D048AA13 ,  4D048AA18 ,  4D048AB01 ,  4D048AB02 ,  4D048BA01Y ,  4D048BA02Y ,  4D048BA03X ,  4D048BA06Y ,  4D048BA07Y ,  4D048BA08Y ,  4D048BA14Y ,  4D048BA15X ,  4D048BA19Y ,  4D048BA30X ,  4D048BA31Y ,  4D048BA33Y ,  4D048BA34Y ,  4D048BA41X ,  4D048BB02 ,  4D048BD01 ,  4D048BD02 ,  4D048BD10 ,  4D048EA04 ,  4G169AA03 ,  4G169AA10 ,  4G169BA01A ,  4G169BA01B ,  4G169BA02A ,  4G169BA04A ,  4G169BA05A ,  4G169BA08A ,  4G169BB04A ,  4G169BC02A ,  4G169BC03A ,  4G169BC05A ,  4G169BC09A ,  4G169BC10A ,  4G169BC12A ,  4G169BC13A ,  4G169BC13B ,  4G169BC32A ,  4G169BC33A ,  4G169BC38A ,  4G169BC43A ,  4G169BC71A ,  4G169BC72A ,  4G169BC75A ,  4G169BC75B ,  4G169CA03 ,  4G169CA08 ,  4G169CA09 ,  4G169CC02 ,  4G169CC05 ,  4G169EA19 ,  4G169EC22Y ,  4G169EC27 ,  4G169GA01 ,  4G169GA05 ,  4G169GA20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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