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J-GLOBAL ID：200903066010545478

プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 高木 茂行 ,  内田 裕 ,  田嶋 直樹 ,  滝 薫 ,  岡本 昇
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997179676
Publication number (International publication number)：1998092797
Application date： Jul. 04, 1997
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】本発明は、大面積の被処理物に対して均一にプラズマを分布する。【解決手段】プラズマチャンバ2の外部に曲げ強度の強い外部補強部40を設け、この外部補強部40に止め具41を介してプラズマチャンバ2内のサイズの小さなマイクロ波共振端15を連結固定する。

Claim (excerpt)：

気密容器内に媒質ガスを供給すると共に、複数のマイクロ波導入部からマイクロ波を前記気密容器に導入してプラズマを発生させ、このプラズマにより生成された活性種により前記気密容器内の被処理物を処理するプラズマ処理装置において、前記気密容器外に設けられた外部補強部と、この外部補強部に連結されて前記気密容器内にて、前記マイクロ波導入部を構成するマイクロ波導入窓を支持する梁構造部と、を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/027 ,  H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 D ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/30 572 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-162021   Applicant：住友金属工業株式会社
• マイクロ波プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-119516   Applicant：株式会社日立製作所