薄膜トランジスタ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008007887
Publication number (International publication number)：2008270723
Application date： Jan. 17, 2008
Publication date： Nov. 06, 2008
Summary：

【課題】薄膜トランジスタ、特にフレキシブル薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層と基板の密着性が強く、基板からゲート絶縁層が剥離しない信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】絶縁基板上に少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁層、酸化物を含む半導体層が順次積層され、前記半導体層上にソース電極とドレイン電極が設けられた薄膜トランジスタであって、前記ゲート絶縁層が前記絶縁基板に接する下部層と前記下部層上に設けられた少なくとも一層以上の上部層からなり、且つ前記下部層はIn、Zn、Gaのいずれか1種の元素を含む酸化物であることを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁層、酸化物を含む半導体層が順次積層され、前記半導体層上にソース電極とドレイン電極が設けられた薄膜トランジスタであって、前記ゲート絶縁層が前記絶縁基板に接する下部層と前記下部層上に設けられた少なくとも一層以上の上部層からなり、且つ前記下部層はIn、Zn、Gaのいずれか1種の元素を含む酸化物であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 21/312 , H01L 21/316

FI (4)：

H01L29/78 617U , H01L29/78 617T , H01L21/312 N , H01L21/316 M

F-Term (64)：

5F058AA08 , 5F058AD02 , 5F058AD03 , 5F058AD04 , 5F058AD09 , 5F058AD10 , 5F058AH01 , 5F058BA10 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BF14 , 5F058BJ01 , 5F110AA05 , 5F110AA06 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD18 , 5F110EE01 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110HK01 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110HK38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

非晶質酸化物を利用した半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-325370 Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

Cited by examiner (1)

薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-097093 Applicant：凸版印刷株式会社

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