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J-GLOBAL ID：200903061866064363

非晶質酸化物を利用した半導体デバイス

Inventor： 安部 勝美 ,  細野 秀雄 ,  神谷 利夫 ,  野村 研二
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
Agent (3)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005325370
Publication number (International publication number)：2006165532
Application date： Nov. 09, 2005
Publication date： Jun. 22, 2006
Summary：

【課題】透明酸化物膜を用いた半導体デバイスや回路を提供する。【解決手段】P型領域と、N型領域とを備え、電子キャリア濃度が1018/cm3未満である非晶質酸化物、又は電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物をN型領域に用いている。電子キャリア濃度が1018/cm3未満である非晶質酸化物又は電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物からなる第1領域と、第1領域に対してヘテロ接合を形成する第2領域と、を具備する。【選択図】図12

Claim (excerpt)：

半導体デバイスであって、 P型領域と、N型領域とを備え、 電子キャリア濃度が1018/cm3未満である非晶質酸化物を該N型領域に用いていることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (13)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/80 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/861 ,  H01L 27/11 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/10 ,  H01L 29/24

FI (10)：

H01L27/04 P ,  H01L29/80 V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/80 B ,  H01L29/48 D ,  H01L29/48 M ,  H01L29/91 F ,  H01L27/10 381 ,  H01L27/10 431 ,  H01L29/24

F-Term (60)：

4M104AA10 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104CC03 ,  4M104GG03 ,  5F038AR07 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F083BS02 ,  5F083BS14 ,  5F083BS27 ,  5F083BS29 ,  5F083CR17 ,  5F083HA02 ,  5F083PR33 ,  5F102FB01 ,  5F102GB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC01 ,  5F102GC07 ,  5F102GC08 ,  5F102GC09 ,  5F102GD01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ01 ,  5F102GT01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA09 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB07 ,  5F110BB08 ,  5F110BB10 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK11 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-096983   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体積層薄膜、電子デバイスおよびダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-030000   Applicant：ティーディーケイ株式会社, 川副博司
• ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-266012   Applicant：科学技術振興事業団, 太田裕道
• 縦型有機トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-286815   Applicant：株式会社リコー, 工藤一浩
• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-086175   Applicant：ミノルタ株式会社
• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-081483   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-208948   Applicant：ホーヤ株式会社
• トランジスタ及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-000047   Applicant：科学技術振興事業団

Cited by examiner (2)

• 半導体積層薄膜、電子デバイスおよびダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-030000   Applicant：ティーディーケイ株式会社, 川副博司
• ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-266012   Applicant：科学技術振興事業団, 太田裕道