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J-GLOBAL ID：200903066101964740

絶縁性被膜

Inventor： 松谷 寛 ,  内丸 祐子
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (2)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003317569
Publication number (International publication number)：2004136661
Application date： Sep. 09, 2003
Publication date： May. 13, 2004
Summary：

【課題】 十分な低誘電率化が可能であり且つ加水分解を生じず安定性に優れる絶縁被膜等を提供する。【解決手段】 絶縁被膜120は、シリコン基層を有するシリコンウェハ100上に、SiOF、有機SOG等の非ボラジン化合物を含むB層112と、ボラジン化合物を含むA層111とがこの順に交互に積層された2層構造を成すものである。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

分子構造中にボラジン骨格を有する化合物を含有して成る少なくとも1つの第1の絶縁層と、該第1の絶縁層と異なる少なくとも1つの第2の絶縁層とが交互に積層されて成る絶縁被膜。

IPC (5)：

B32B9/00 ,  C08G77/56 ,  C08G77/60 ,  C08G79/08 ,  H01L21/312

FI (5)：

B32B9/00 Z ,  C08G77/56 ,  C08G77/60 ,  C08G79/08 ,  H01L21/312 A

F-Term (60)：

4F100AK79A ,  4F100AK79B ,  4F100AK79K ,  4F100AK80A ,  4F100AK80B ,  4F100AK80K ,  4F100BA02 ,  4F100BA08 ,  4F100GB41 ,  4F100JD15 ,  4F100JG04 ,  4F100JG04A ,  4F100JG04B ,  4F100JJ03 ,  4F100JK01 ,  4F100JK06 ,  4F100JL01 ,  4J030CA01 ,  4J030CC07 ,  4J030CD11 ,  4J030CE02 ,  4J030CE11 ,  4J030CG04 ,  4J246AA15 ,  4J246AA18 ,  4J246AB01 ,  4J246BA02X ,  4J246BB02X ,  4J246BB021 ,  4J246BB20X ,  4J246BB201 ,  4J246BB34X ,  4J246BB341 ,  4J246BB40X ,  4J246BB400 ,  4J246BB401 ,  4J246CA01X ,  4J246CA010 ,  4J246CA018 ,  4J246CA230 ,  4J246CA24X ,  4J246CA248 ,  4J246CA390 ,  4J246CA40X ,  4J246CA408 ,  4J246FA221 ,  4J246FA452 ,  4J246FC162 ,  4J246GA02 ,  4J246GC52 ,  4J246GD08 ,  4J246HA63 ,  5F058AA04 ,  5F058AA10 ,  5F058AD05 ,  5F058AD09 ,  5F058AD10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 耐熱低誘電率材料並びにこれを用いた半導体層間絶縁膜及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-153600   Applicant：三菱電機株式会社
• ボラジン含有ケイ素系ポリマーの薄膜の製造方法及びボラジン含有ケイ素ポリマー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-068771   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所