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J-GLOBAL ID：200903087103022960

耐熱低誘電率材料並びにこれを用いた半導体層間絶縁膜及び半導体装置

Inventor： 角田 誠 ,  信時 英治 ,  三上 登
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999153600
Publication number (International publication number)：2000340689
Application date： Jun. 01, 1999
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 耐熱性に優れ、誘電率が低く、半導体素子、電気回路部品などに適用可能な低誘電率材料、この低誘電率材料を用いた半導体層間絶縁膜及び半導体装置を提供することである。【解決手段】 無機または有機材料の分子中に、下記式(1)などで示されるボラジン骨格系分子を有する耐熱低誘電率材料である。【化1】

Claim (excerpt)：

無機または有機材料の分子中に、式(1)、式(2)または式(3)で示される何れかのボラジン骨格系分子を有することを特徴とする耐熱低誘電率材料。【化1】【化2】【化3】

IPC (3)：

H01L 23/08 ,  C08G 79/08 ,  C08J 5/18 CFJ

FI (3)：

H01L 23/08 ,  C08G 79/08 ,  C08J 5/18 CFJ

F-Term (12)：

4F071AA01 ,  4F071AF14 ,  4F071AF40 ,  4F071AF44 ,  4F071AF45 ,  4F071AH12 ,  4F071BA02 ,  4F071BB02 ,  4F071BC01 ,  4J030CC07 ,  4J030CD11 ,  4J030CG03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 流動性スピンオン絶縁体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-001357   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 窒化硼素質セラミックスとその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-352318   Applicant：東燃株式会社