半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋敬四郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998170285
Publication number (International publication number)：1999074218
Application date： Jun. 17, 1998
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】シリコン基板の不純物拡散領域と金属配線との接触抵抗を下げることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板と、シリコン基板の表面層に形成された不純物添加領域と、不純物添加領域の表面に接触し、TiMo、TiV、TiW、TiMoNb、TiMoTa、TiMoV、TiMoW、TiNbV、TiNbW、TiMoNbTa、TiMoNbV、TiMoNbW、TiMoTaW、TiMoVW、TiNbTaW、TiNbVW、TiMoNbTaW、TiMoNbVW等からなる群より選ばれた1つの合金により形成されたコンタクト層と、コンタクト層の上に配置され、高融点金属窒化物または高融点金属窒化酸化物からなるバリア層と、バリア層の上に配置された金属配線とを有する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、前記シリコン基板の表面層に形成された不純物添加領域と、前記不純物添加領域の表面に接触し、TiMo、TiNb、TiV、TiW、TiMoNb、TiMoTa、TiMoV、TiMoW、TiNbTa、TiNbV、TiNbW、TiMoNbTa、TiMoNbV、TiMoNbW、TiMoTaW、TiMoVW、TiNbTaW、TiNbVW、TiMoNbTaW、TiMoNbVW、ZrNb、ZrNbTa、HfNb、HfNbTa、TiZrNbTa、TiHfNb、TiHfNbTa、TiZrHfNb、TiZrHfNbTa、TiTa、ZrTa、HfTa、TiZrTa、TiHfTa、TiZrHfTaからなる群より選ばれた1つの合金により形成されたコンタクト層と、前記コンタクト層の上に配置され、高融点金属窒化物または高融点金属窒化酸化物からなるバリア層と、前記バリア層の上に配置された金属配線とを有する半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/28 301 R , H01L 21/88 R , H01L 21/90 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体集積回路装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-125157 Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立マイコンシステム
バリアメタル皮膜の窒化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-172175 Applicant：株式会社日立製作所
半導体集積回路装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-141030 Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立マイコンシステム

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