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J-GLOBAL ID：200903066125761760

光電子放出面およびそれを用いた電子管と光検出装置

Inventor： 新垣 実 ,  廣畑 徹 ,  渭原 常夫 ,  山田 正美
Applicant, Patent owner： 浜松ホトニクス株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993226237
Publication number (International publication number)：1995078554
Application date： Sep. 10, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】 光電変換量子効率の優れた光電子放出面、光電子増倍機能を有する高感度の電子管、高感度の光検出装置を提供する。【構成】 光電子放出面は、入射光を吸収して光電子を励起するp型又は半絶縁性若しくはヘテロ積層構造を有する光吸収層上に、ショットキ電極、絶縁層、引出し電極が積層されると共に、光吸収層とショットキ電極との間に所定極性の電圧を印加するためのコンタクトとを具備し、光吸収層とショットキ電極との間、及びショットキ電極と引出し電極との間に夫々所定バイアス電圧が印加され、光吸収層に光が入射するのに応じて、光電子を放出する構造とした。更に、かかる構造の光電子放出面を内蔵し、放出された光電子を電子増倍する電子管を構成し、更に、かかる電子管を光検出部に適用することで高感度の光検出装置を実現した。

Claim (excerpt)：

入射光を吸収して光電子を励起するp型又は半絶縁性若しくはヘテロ積層構造を有する光吸収層と、上記光吸収層の一側面に積層されたショットキ電極と、上記ショットキ電極上に絶縁層を介して積層された引出し電極と、上記光吸収層と上記ショットキ電極との間に所定極性の電圧を印加するために備えられたコンタクトとを具備し、上記光吸収層と上記ショットキ電極との間、及び上記ショットキ電極と上記引出し電極との間に夫々所定バイアス電圧が印加され、上記光吸収層に光が入射するのに応じて、光電子を放出することを特徴とする光電子放出面。

IPC (2)：

H01J 1/34 ,  H01J 40/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-269419
  
• 特開昭62-299088
  
• 半導体光電面およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-159369   Applicant：日本電気株式会社