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J-GLOBAL ID:200903066180942536

ビスアリールアミノフルオレン誘導体の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998126087
Publication number (International publication number):1999322679
Application date: May. 08, 1998
Publication date: Nov. 24, 1999
Summary:
【要約】【課題】 従来の銅を用いるウルマン反応に比べ、温和な反応条件下、タール状物質の生成無く、高活性・高選択的に合成する方法を提供する。【解決手段】 トリ(ターシャリーブチル)ホスフィンとパラジウム化合物を必須成分とする触媒と塩基の存在下、下記一般式(1)【化1】(式中、R1及びR2は各々独立して水素原子、アルキル基又はベンジル基を表し、Xは塩素、臭素又はヨウ素を表し、nは0又は1を表す。)で示される化合物に、ジアリールアミンを反応させるか又はハロゲン化アリールとアニリン誘導体を反応させる。
Claim (excerpt):
トリ(ターシャリーブチル)ホスフィンとパラジウム化合物を必須成分とする触媒と塩基の存在下、下記一般式(1)【化1】(式中、R1及びR2は各々独立して水素原子、アルキル基又はベンジル基を表し、Xは塩素、臭素又はヨウ素を表し、nは0又は1を表す。)で示される化合物と下記一般式(2)【化2】(式中、Ar1及びAr2は各々独立してアリール基を表す。)で示されるジアリールアミンを反応させることを特徴とする下記一般式(3)【化3】(式中、R1及びR2は各々独立して水素原子、アルキル基又はベンジル基を表し、Ar1及びAr2は各々独立してアリール基を表し、nは0又は1を表す。)で示されるビスアリールアミノフルオレン誘導体の製造方法。
IPC (3):
C07C211/61 ,  C07C209/10 ,  C07C217/84
FI (3):
C07C211/61 ,  C07C209/10 ,  C07C217/84
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent:
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