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J-GLOBAL ID：200903066190979764

欠陥の削減方法

Inventor： ジョセフ エフ ラコウスキ
Applicant, Patent owner： シップレーカンパニー エル エル シー
Agent (1)： 佐伯 憲生
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001562265
Publication number (International publication number)：2003524213
Application date： Feb. 26, 2001
Publication date： Aug. 12, 2003
Summary：

【要約】電子デバイス製作時の欠陥の削減方法を開示する。また、欠陥数が減少した電子デバイスを開示する。その方法は一種類以上の界面活性剤と水とを含む組成物を必要とし、組成物中の界面活性剤の量は臨界ミセル濃度未満である。

Claim (excerpt)：

電子デバイスを一種類以上の界面活性剤と水とを含む組成物に接触させるステップを含み、組成物中の界面活性剤の量が臨界ミセル濃度未満であることを特徴とする電子デバイスの欠陥数を減らすための方法。

IPC (4)：

G03F 7/32 501 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 647

FI (4)：

G03F 7/32 501 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/304 647 B ,  H01L 21/30 570

F-Term (6)：

2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096GA18 ,  2H096LA02 ,  2H096LA03 ,  5F046AA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 微細パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-151983   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開昭61-097653
  
• リンス剤組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-094270   Applicant：花王株式会社